Familia MOS (NMOS si PMOS)

Familia MOS (NMOS si PMOS)

comparativ cu circuitele realizate in tehnologie bipolara, familia de circuite MOS prezinta urmatoarele performante:

-tranzistorul MOS are o tehnologie mai simpla si o impedanta de intrare foarte mare;

-circuitele cu tranzistoare MOS ocupa o suprafata mai mica de Si si permit o densitate de integrare mai mare;

-functiile logice si memoriile sunt mai usor de realizat in tehnologia MOS decat in cea bipolara, rezultand mai putine dispozitive active/operatie si o putere disipata mai mica;

-pentru functii logice identice, circuitele MOS sunt mai ieftine decat cele bipolare;

Circuitele integrate pe scara larga (LSI) se construiesc frecvent cu tranzistoare MOSFET cu o singura polaritate. fata de tehnologia CMOS in acest caz sunt necesare mai putine etape de fabricatie si se realizeaza o densitate de integrare superioara. Majoritatea circuitelor LSI de tip MOS sunt compatibile cu circuitele TTL.

-in cazul in care o poarta TTL comanda o poara NMOS pot aparea probleme la tranzitia de la 0 la 1. in acest caz se recomanda conectarea iesirii TTL la linia de +5V printr-o rezistenta de 1-10kohm (fig.4.1.7). transmiterea tranzitiei din 1 in 0 nu necesita probleme deosebite;

-in cazul in care o iesire NMOS se cupleaza la o intrare TTL (fig. 4.1.8) nu apar probleme deosebite, iesirea NMOS avand fan-out unitar pentru intrarile TTL.

fig. 3.5 Comanda unei porti NMOS fig.3.6 Comanda unei porti TTL

de la o poarta NMOS de la o poarta NMOS