Etajele de iesire cu tact dublu

Etajele de iesire cu tact dublu

Deoarece randamentului etajelor de iesire in regimul A este mai mic de 50%, in etajele de putere adesea sunt folosite etaje de iesire cu tact dublu care lucreaza in regimul A sau AB sunt utilizate 3 scheme de conectare a tranzistorelor: cu BC, EC si CC. Etajele de amplificare de iesire cu tact dublu pot fi divizate: in etaje cu transformatoare de concordare si etaje de iesire fara transformator.

In etajele cu transformator ca regula se obtine o mai buna concordare a etajului cu sarcina, cat si stabilitate ridicata la temperatura. Acestea reprezinta schemele clasice ce asigura obtinerea unei puteri majore. Neajunsul lor: prezenta transformatoarelor volumunoase cat si a distorsiunilor de frecventa si neliniare necatand la faptul ca in semnalul de iesire componenta armonicilor pare este destul de redusa.

In etajele de iesire cu legatura inductiva tranzistorele cel  mai des sunt cuplate dupa schema EC si BC.

Sa examinam etajul BC, in care dispozitivele active lucreaza in regimul B (fig.a).

La lipsa semnalului de intrare prin tranzistorele VT1 si VT2 curg curenti mici deoarece  VT1 si VT2 sunt incluse. La aplicarea la intrare a unei tensiuni sinusoidale, tranzistorele se deschid pe rand. Fiecare tranzistor lucreaza in decursul unei semiperioade, iar in sarcina curentii ambelor tranzistore se sumeaza.

Construirea liniei de sarcina pentru etajul cu tact dublu corespunde analogic construirii ei pentru etajul cu un singur tact. Totodata, pozitia punctului de lucru se alege aproape de axa absciselor (pentru ambele tranzistore). Curentul de intrare ce se modifica include in intregime unul din tranzistore in dependenta de semiperioada semnalului de intrare .

La lipsa semnalului curentii tranzistorelor se determina de punctele de intersectie a dreptei de sarcina trasata prin punctele (E, o) (cu inclinare determinata de tangenta unghiului (-1, r₃), r₃ - rezistenta activa a unei sectii a infasurarii W₃), cu curbele curentilor corespunzatoare a colectorului la scurtcircuitarea emitorului de baza (I_C01, I_C02).

Intradevar daca baza si emitorul tranzistorului sunt scurtcircuitatea intre ele, atunci schema lui echivalenta pentru curent continuu are forma reprezentata in  (figura b). Daca caderea tensiunii de la curentul I_CE0 pe rezistenta r'_B e mai mica decat U_BE, atunci jonctiunea emitorului este inchisa si se poate considera ca intreg curentul generatorului I_CE0 curge prin circuitul bazei.

Dar, curentul in circuitul bazei provoaca in jonctiunea colectorului curentul h₂₁I_B, orientat curentului I_CE0.

Ca urmare curentul rezultant al bazei:

I_CE0

I_B =  I_CE0 - h₂₁I_B ; I_B = = I_CB0

1 + h_21E

Atunci cand jonctiunea emitorului curentii bazei si colectorului sunt egale, rezulta ca curentul colectorului tranzistorului inchis e aproximativ egal cu I_CB0. Pentru simplificarea curentii I_CB0 a ambelor tranzistore le consideram egale. Luind in consideratie ca rezistenta activa a jumatatii din infasurarea primara W₃  a transformatorului T₂ este mica si curentii I_CB0 nu sunt mari, tensiunea pe colector in punctele de lucru U_C0 sunt aproape egale cu E.

La utilizarea completa a tranzistorelor trebuie ca:

U_C0 ≈ U_{Cm max}

In urma unor deductii s-a ajuns la aceea ca tranzistorele pentru amplificatorul cu tact dublu trebuie alese reiesind din urmatoarele conditii:

U_{Cm max} < U_{CE max} /2

I_{Cm max} < I_{C max}

Adica tensiunea maxima admisibila U_{CE max} a tranzistorului la utilizarea lui completa trebuie sa fie aproximativ de doua ori mai mare decat marimea tensiunii de alimentare E.