Tranzistoare cu efect de camp metal oxid semiconductor

2p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal initial este prezentata in figura notata cu:

a)

b)

c)

d)

2p

Structura de principiu a tranzistor cu efect de camp de camp metal oxid semiconductor cu canal indus este prezentata in figura notata cu:

a)

b)

c)

d)

1p

Figura 6.1 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat S se numeste:

Figura 6.1

a)     sursa;

b)    drena;

c)     grila;

d)    substrat

1p

Figura 6.1 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat G se numeste:

a)     sursa;

b)    drena;

c)     grila;

d)    substrat

1p

Figura 6.1 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat D se numeste:

1p

Figura 6.1 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat B se numeste:

a)     sursa;

b)    drena;

c)     grila;

d)    substrat

Raspuns corect d)

1p

Figura 6.2 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat B se numeste:

Figura 6.2

a)     sursa;

b)    drena;

c)     grila;

d)    substrat

1p

Figura 6.2 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat S se numeste:

a)     sursa;

b)    drena;

c)     grila;

d)    substrat

1p

Figura 6.2 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat G se numeste:

a)     sursa;

b)    drena;

c)     grila;

d)    substrat

1p

Figura 6.2 prezinta structura de principiu a unui tranzistor cu efect de camp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat D se numeste:

a)     sursa;

b)    drena;

c)     grila;

d)    substrat

1p

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:

a.)

b.)

c.)

d.)

1p

Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:

a.)

b.)

c.)

d.)

1p

Simbolul unui TECMOS cu canal intial tip n este:

a.)

b.)

c.)

d.)

1p

Simbolul unui TECMOS cu canal initial tip p este:

a.)

b.)

c.)

d.)

2p

In cazul unui TECMOS canalul este situat:

a)     la suprafata structurii (interfata Si-SiO₂), facand legatura dintre drena si sursa;

b)    in volumul structurii, facand legatura dintre drena si sursa;

c)     la suprafata structurii (interfata Si-SiO₂), dar numai in partea dinspre drena;

d)    in volumul structurii, dar numai in partea dinspre drena;

1p

Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de camp:

a)     numai cu canal n:

b)    numai cu canal p;

c)     atat cu canal n cat si cu canal p;

d)    tipul de canal depinde de tipil de tranzistor (TECJ sau TECMOS).

2p

Curentul principal din TECMOS se stabileste intre:

a)     grila si drena;

b)    sursa si drena;

c)     sursa si grila;

d)    grila si drena.

2p

Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabileste intre sursa si drena. El este constituit din:

a)     electroni

b)    goluri;

c)     ioni pozitivi;

d)    ioni negativi.

2p

Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabileste intre sursa si drena. El este constituit din:

a)     electroni

b)    goluri;

c)     ioni pozitivi;

d)    ioni negativi.

3p

Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circula intre sursa si drena - circula printr-un canal, a carui conductanta este modificata electric de potentialul de pe grila. In cazul TECMOS cu canal initial:

a)     potentialul grilei modifica lungimea canalului si prin aceasta rezistenta canalului;

b)    potentialul grilei modifica sectiunea canalului si prin aceasta rezistenta canalului;

c)     potentialul grilei modifica latimea canalului si prin aceasta rezistenta canalului;

d)    potentialul grilei modifica concentratia purtatorilor din canal si prin aceasta rezistenta canalului.

1p

Conexiunea sursa comuna a unui TECMOS cu canal initial de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

1p

Conexiunea drena comuna a unui TECMOS cu canal initial de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

1p

Conexiunea grila comuna a unui TECMOS cu canal initial de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

1p

Conexiunea sursa comuna a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

1p

Conexiunea drena comuna a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

1p

Conexiunea grila comuna a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

2p

Intrucat grila unui TECMOS este izolata de canal printr-un strat de bioxid de siliciu curentul de grila este:

a)    

b)   

c)    

d)   

1p

Figura 6.3 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal initial de tip n. Cu I a fost notata:

Figura 6.3

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

1p

Figura 6.3 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal initial de tip n. Cu II a fost notata:

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

1p

Figura 6.3 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal initial de tip n.Cu III a fost notata:

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

1p

Figura 6.3 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal initial de tip n. Cu IV a fost notata:

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

1p

Figura 6.4 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu I a fost notata:

Figura 6.4

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

1p

Figura 6.4 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu II a fost notata:

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

1p

Figura 6.4 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal indus de tip n.Cu III a fost notata:

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

1p

Figura 6.4 prezinta caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu IV a fost notata:

a)     regiunea de blocare;

b)    regiunea liniara;

c)     regiunea de cot;

d)    regiunea de saturatie.

2p

Un TECMOS care functioneaza in regiunea liniara se comporta ca

a)     rezistenta comandata;

b)    un generator de curent comandat;

c)     un circuit intrerupt;

d)    un generator de tensiune comandat.

2p

Un TECMOS care functioneaza in regiunea de blocare se comporta ca

a)     rezistenta comandata;

b)    un generator de curent comandat;

c)     un circuit intrerupt;

d)    un generator de tensiune comandat.

2p

Un TECMOS care functioneaza in regiunea de saturatie se comporta ca

a)     rezistenta comandata;

b)    un generator de curent comandat;

c)     un circuit intrerupt;

d)    un generator de tensiune comandat.

3p

Caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal initial de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

3p

Caracteristica de iesire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

3p

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal initial n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

3p

Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaza in regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)     i_G=0 si i_D=0

b)    i_G=0 si

c)     i_G=0 si

d)    si

3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaza in regiunea de saturatie - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)     i_G=0 si i_D=0

b)    i_G=0 si

c)     i_G=0 si

d)    si

3p

Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucreaza in regiunea liniara - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)     i_G=0 si i_D=0

b)    i_G=0 si

c)     i_G=0 si

d)    si

3p

Schema echivalenta a unui TECMOS care lucreaza in regiunea liniara - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)

b)

c)

d)

3p

Schema echivalenta a unui TECMOS care lucreaza in regiunea de saturatie - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)

b)

c)

d)

3p

Schema echivalenta a unui TECMOS care lucreaza in regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:

a)

b)

c)

d)

3p

Pentru un TECMOS, o data cu cresterea temperaturii:

Figura 6.5

a)     I_DSS scade iar V_T creste;

b)    I_DSS creste iar V_T scade;

c)     I_DSS si cresc;

d)    I_DSS si V_T scad.

Pentru notatii vezi figura 6.4

3p

Pentru un TECMOS, o data cu cresterea temperaturii:

a)     i_D scade daca i_D>I_Z;

b)    i_D creste daca i_D>I_Z;

c)     i_D scade daca i_D<I_Z;

d)    temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui i_D;

Pentru notatii vezi figura 6.4

3p

O data cu variatia temperaturii caracteristicile de iesire ale unui TECMOS se modifica ca in figura notata (urmariti relatia dintre T₁ si T₂)

a)

b)

c)

d)

3p

Un posibil model matematic pentru un TECMOS - pentru regimul cvasistatic de semnal mic - este:

a)    i_d=0 si i_d=g_mv_ds

b)    i_g=0 si i_d=g_mv_gs

c)     i_d=0 si i_d=g_mv_ds

d)    i_g=0 si i_d=g_mv_gs

unde

i_g  curent de grila (valoare instantanee de semnal)

i_d  curent de drena (valoare instantanee de semnal)

v_gs tensiune de grila-sursa (valoare instantanee de semnal) v_ds tensiune de drena-sursa (valoare instantanee de semnal)

3p

Tranconductanta mutuala a unui TECMOS are expresia:

a)    

b)    ;

c)    

d)    .

3p

Schema echivalenta ce corespunde modelului matematic

i_g=0

i_d=g_mv_gs

al unui TECMOS - pentru regimul cvasistatic de semnal mic - este prezentata in figura:

a)

b)

c)

d)

2p

Circuitul de polarizare al unui TECMOS are sarcina de a asigura:

a)     polarizarea inversa a jonctinii poarta - canal, stabilitatea punctului static de functionare functie de dispersia parametrilor, dar nu si stabilitatea punctului static functie de variatia temperaturii;

b)    polarizarea directa a jonctinii poarta - canal, stabilitatea punctului static de functionare functie de dispersia parametrilor, dar nu si stabilitatea punctului static functie de variatia temperaturii;

c)     polarizarea inversa a jonctinii poarta - canal, stabilitatea punctului static de functionare functie de dispersia parametrilor, precum si stabilitatea punctului static functie de variatia temperaturii;

d)    stabilitatea punctului static functie de variatia temperaturii;

3p

Pentru a functiona ca amplificator, tensiunea dintre grila si sursa unui TECMOS cu canal indus de tip n:

a)     este intotdeauna pozitiva;

b)    este intotdeauna negativa;

c)     poate fi atat pozitiva cat si negativa;

d)    este intotdeauna zero.

3p

Pentru a functiona ca amplificator, tensiunea dintre grila si sursa unui TECMOS cu canal indus de tip p:

a)     este intotdeauna pozitiva;

b)    este intotdeauna negativa;

c)     poate fi atat pozitiva cat si negativa;

d)    este intotdeauna zero.

Raspuns corect b)

3p

Pentru a functiona ca amplificator, tensiunea dintre grila si sursa unui TECMOS cu canal initial de tip n:

a)     este intotdeauna pozitiva;

b)    este intotdeauna negativa;

c)     poate fi atat pozitiva cat si negativa;

d)    este intotdeauna zero.

3p

Pentru a functiona ca amplificator, tensiunea dintre grila si sursa unui TECMOS cu canal initial de tip p:

a)     este intotdeauna pozitiva;

b)    este intotdeauna negativa;

c)     poate fi atat pozitiva cat si negativa;

d)    este intotdeauna zero.

3p

Pentru un TECMOS cu canal indus de tip n s-au impus scheme de polarizare de tipul celei din figura notata:

a)

b)

c)

d)

3p

Pentru un TECMOS cu canal intial de tip n s-au impus scheme de polarizare de tipul celei din figura notata:

a)

b)

c)

d)

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Tranzistorul este blocat daca:

Figura 6.6

a)     v_IN<V_T

b)    v_IN>V_{T :}  si v_DS>v_DSsat

c)     v_IN>V_{T :}  si v_DS<v_DSsat

d)    v_IN>V_{T :}  sau v_DS<v_DSsat

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Tranzistorul este in regiunea de saturatie daca:

a)     v_IN<V_T

b)    v_IN>V_{T :}  si v_DS>v_DSsat

c)     v_IN>V_{T :}  si v_DS<v_DSsat

d)    v_IN<V_{T :}  sau v_DS<v_DSsat

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Tranzistorul este in regiunea liniara daca:

a)     v_IN<V_T

b)    v_IN>V_{T :}  si v_DS>v_DSsat

c)     v_IN>V_{T :}  si v_DS<v_DSsat

d)    v_IN>V_{T :}  sau v_DS<v_DSsat

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Daca tranzistorul este blocat schema se modeleaza ca in figura notata:

a)

b)

c)

d)

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Daca tranzistorul opereaza in regiunea de saturatie schema se modeleaza ca in figura notata:

a)

b)

c)

d)

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Daca tranzistorul opereaza in regiunea liniara schema se modeleaza ca in figura notata:

a)

b)

c)

d)

4p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Daca tranzistorul opereaza in regiunea liniara tensiunea de iesire are expresia:

a)     v_O=E_D;

b)   

c)     v_O=;

d)   

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Daca tranzistorul opereaza in regiunea de saturatie tensiunea de iesire are expresia:

a)     v_O=E_D;

b)   

c)     v_O=;

d)   

2p

Figura 6.6 prezinta schema de principiu a unui etaj sursa comuna construit cu un TECMOS cu canal initial de tip n. Daca tranzistorul este blocat tensiunea de iesire are expresia:

a)     v_O=E_D;

b)   

c)     v_O=;

d)   

2p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

1p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Rezistorul R_G1

a)     face parte din circuitul de polarizare al grilei;

b)    este rezistor de sarcina;

c)     este rezistor de limitare;

d)    asigura valoarea necesara a rezistentei de iesire.

1p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Rezistorul R_G2

a)     face parte din circuitul de polarizare al grilei;

b)    este rezistor de sarcina;

c)     este rezistor de limitare;

d)    asigura valoarea necesara a rezistentei de iesire.

1p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Rezistorul R_S

a)     face parte din circuitul de polarizare al grilei;

b)    este rezistor de sarcina;

c)     este rezistor de limitare;

d)    asigura valoarea necesara a rezistentei de iesire.

1p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Rezistorul R_D

a)     face parte din circuitul de polarizare al grilei;

b)    este rezistor de sarcina;

c)     este rezistor de limitare;

d)    asigura valoarea necesara a rezistentei de iesire.

1p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Condensatorul C₁

a)     in curent continuu pune sursa la masa, in curent alternativ neavand nici un efect.

b)    separa in curent alternativ etajul blocand componenta alternativa, dar lasa sa treaca componenta continua

c)     condensator de decupare; in curent alternativ pune sursa la masa, in curent continuu neavand nici un efect.

d)    condensator de cuplaj; separa in curent continuu etajul blocand componenta continua, dar lasa sa treaca componenta alternativa.

1p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Condensatorul C₂

a)     in curent continuu pune sursa la masa, in curent alternativ neavand nici un efect.

b)    separa in curent alternativ etajul blocand componenta alternativa, dar lasa sa treaca componenta continua

c)     condensator de decupare; in curent alternativ pune sursa la masa, in curent continuu neavand nici un efect.

d)    condensator de cuplaj; separa in curent continuu etajul blocand componenta continua, dar lasa sa treaca componenta alternativa.

1p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Condensatorul C_S

a)     in curent continuu pune sursa la masa, in curent alternativ neavand nici un efect.

b)    separa in curent alternativ etajul blocand componenta alternativa, dar lasa sa treaca componenta continua

c)     condensator de decupare; in curent alternativ pune sursa la masa, in curent continuu neavand nici un efect.

d)    condensator de cuplaj; separa in curent continuu etajul blocand componenta continua, dar lasa sa treaca componenta alternativa.

3p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Amplificarea in tensiune definita prin: este:

a)     A_v=g_mR_D

b)    A_v=-g_mR_D

c)     A_v=g_mR_S

d)    A_v=-g_mR_S

3p

Schema unui etaj de amplificare in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Schema echivalenta de semnal mic regim cvasistatic este prezentata in figura notata:

a)

b)

c)

d)

3p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Rezistenta de intrare este:

a)    

b)    R_in= R_S

c)    

d)    R_in=R_S

3p

Schema unui etaj de amplificare in regim cvasistatic de semnal mic in conexiunea sursa comuna este prezentata in figura 6.6. Rezistenta de iesire este:

a)     R_o=R_D

b)    R_o= R_D

c)     R_o=R_S

d)    R_o= R_S

Raspuns corect d)

Raspuns corect b)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect d)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect d)

Raspuns corect b)

Raspuns corect d)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect c)

Raspuns corect b)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect d)

Raspuns corect b)

Raspuns corect a)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect b)

Raspuns corect a)

Raspuns corect c)

Raspuns corect c)

Raspuns corect d)

Raspuns corect b)

Raspuns corect d.)

Raspuns corect a)

Raspuns corect a.)

Raspuns corect b)

Raspuns corect b)

Raspuns corect d)

Raspuns corect d.)

Raspuns corect a)

Raspuns corect c)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect a)

Raspuns corect a)

Raspuns corect a)

Raspuns corect c)

Raspuns corect b)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect c)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect d)

Raspuns corect b)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect c)

Raspuns corect b)

Raspuns corect a)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a)

Raspuns corect a)

Raspuns corect a)

Raspuns corect b)

Raspuns corect d)

Raspuns corect d)

Raspuns corect d)

Raspuns corect b)

Raspuns corect c)

Raspuns corect a.)

Raspuns corect a.)