Defectele TEC- MOS si cauzele lor

Defectele TEC- MOS si cauzele lor

Precautii si masuri speciale de utilizare a TEC-MOS

Datorita rezistentelor mari si capacitatilor mici ale structurii grila-canal din tranzistorul MOS, pot aparea tensiuni mari de strapungere datorate acumularii de sarcina electrostatica chiar la manipularea tranzistoarelor. Cum capacitatea depunerii metalice a grilei fata de ceilalti electrozi este foarte mica (ordinul 10^-12), sarcini extrem de mici, accidentale (10^-10 C) pot determina tensiuni de ordinul 10² V. Aceste tensiuni strapung oxidul stratului izolator, de grosime foarte mica (de exemplu SiO₂ de 0,1 m ) si  distrug tranzistorul.

Acumularea de sarcini electrostatice poate aparea datorita containerelor de plastic utilizate la transportul materialelor semiconductoare, datorita tensiunii electrostatice cu care este incarcata o persoana ce tine in mana asemenea tranzistoare deplasandu-se intr-o incapere cu covor de plastic, datorita echipamentului de testare sau lipire daca nu este legat la pamant.

Pentru a proteja tranzistoarele, uneori, in procesul de fabricatie, intre grila si substrat sunt introduse diode Zener. Aceste diode protejeaza tranzistoarele insa reduc rezistenta de intrare.

La manipularea si utilizarea tranzistoarelor cu efect de camp trebuie luate anumite masuri de protectie cum ar fi:

scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel care va fi indepartat) atat timp cat tranzistorul este depozitat sau manipulat;

legarea la masa a varfului pistolului de lipit cu care se lucreaza;

in montaje este indicat ca tranzistorul sa fie protejat de un ecran impotriva incarcarilor electrostatice;

respectarea unor tehnologii speciale de testare, montare si depanare.