Tehnologii de programare (fuzibil,antifuzibi l,EPROM,EEPROM, SRAM)

Tehnologii de programare (fuzibil,antifuzibi l,EPROM,EEPROM, SRAM)

Tehnologii de programare

SRAM

Valorile logice memorate in SRAM controleaza switch-urile, respectiv elemente ca multiplexoare

Comanda cu SRAM a elementelor logice

a - atunci cand in celula SRAM este memorat un "1", tranzistorul MOS conduce, comportandu-se ca un comutator inchis si poate fi utilizat pentru interconectarea a doua segmente de legatura

b valorile stocate in SRAM comanda care intrare a multiplexorului se va conecta la iesirea sa

Deoarece memoriile SRAM sunt volatile FPGA ul trebuie configurat la fiecare alimentare

Principalul dezavantaj al tehnologiei SRAM este suprafata mare ocupata

Sunt necesare cel putin cinci tranzistoare pentru implementarea unei celule SRAM de un bit si cel putin inca un tranzistor ca switch programabil

Avantajele acestei tehnologii:

reprogramare rapida

reprogramare dinamica (in circuit)

proces standard de fabricatie

EPROM

Switch-ul este un tranzistor care poate fi blocat permanent prin injectarea de sarcina pe grila flotanta (grila 2), prin intermediul unei tensiuni ridicate aplicate intre grila1 si drena tranzistorului

Tranzistor cu grila flotanta folosit ca switch:

Sarcina suplimentara creste tensiunea de prag a tranzistorului, blocandu-l

Sarcina poate fi indepartata prin expunere la lumina ultravioleta, reducandu-se tensiunea de prag si tranzistorul functioneaza normal

Se prefera folosirea tranzistorului pentru legarea la masa a unei linii de bit, atunci cand linia de cuvant este SUS

Si aceste circuite sunt reprogramabile

Dezavantaje:

l     rezistenta ridicata in conductie a tranzistorului

l     consum ridicat de putere, chiar in regim static, datorita rezistentei de pull-up.