FOTODIODE CU BARIERA SCHOTTKY

FOTODIODE CU BARIERA SCHOTTKY

Fotodiodele cu bariera Schottky poseda o eficienta inalta si o tehnologie simpla. Structura este urmatoarea:

poseda Ǻ, poseda Ǻ, . Se utilizeaza semicondctorii Si, GaAs, GaP.

Fotodioda Schottky functioneaza in diferite regimuri in dependenta de energia fotonilor incidenti.

a)  ;

unde - inaltimea barierei de contact; - tensiunea aplicata; - tensiunea de strapungere prin avalansa.

  b) , .

  c) , .

Cazul a): ; .

Absorbtia semnalului optic are loc in metalul superficial (Au). Electronii fotogenerati au o energie mai mare ca si depasesc bariera de potential, trecand in semiconductor.

Acest efect este folosit pentru determinarea inaltimii barierei de potential Schottky.

Cazul b): , .

Absorbtia optica are loc in semiconductor unde are loc si generarea purtatorilor de sarcina. In acest caz caracteristicile fotodiodei sunt asemanatoare cu caracteristicile fotodiodei p-i-n.

Cazul c): , .

Fotodioda cu bariera Schottky lucreaza ca o fotodioda cu multiplicare prin avalansa.

Fotodiodele Schottky sunt efective in domeniile spectrale vizibil si UV. Pentru aceste radiatii coeficientul de absorbtie in semiconductorii traditionali este foarte inalt si constituie , si lungimea de absorbtie este . De aceea, efectiv lucreaza anume bariera de potential superficiala si nu jonctiunea p-n (ce se formeaza in volum).

Este important ca grosimea peliculei de Au sa nu admita absorbtie in ea, deci sa fie transparenta pentru semnalul optic incident.

In figura de mai jos sunt fixate dependentele coeficientilor de transparenta, de reflexie si pierderile optice in pelicula de Au in dependenta de grosimea ei.

Eficienta cuantica externa teoretic posibila pentru , .

Distributia spectrala a si pentru structura (n)Si -Au